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ICP即：電感耦合等離子體。但有時，人們也可能會在口語中，以簡稱的“ICP”來代替“ICP-OES，和ICP-AES”。ICP-MS，就是“以ICP方式離子化的”質(zhì)譜——也就是說，還有其它種類的質(zhì)譜，有時，人們也會叫“ICP質(zhì)譜”。那么他們和AAS有何區(qū)別?在選擇分析方法時該如何選擇?你且往下看!
概念區(qū)別
首先，先說簡單區(qū)分的ICP-AES與ICP-OES
OES - Optical Emission SpectrometryAES - Atomic Emission Spectrometry兩者都是電感耦合等離子體發(fā)射光譜法，只是不同時期的叫法不同。
由于等離子發(fā)射光譜技術中不僅選用原子譜線而且更多地采用離子譜線因而稱ICP-OES更為科學準確。注：下文均比較ICP-OES。
其次，是ICP-OES和ICP-MS
對于擁有ICP-OES技術背景的人來講，ICP-MS是一個以質(zhì)譜儀作為檢測器的等離子體(ICP)，而質(zhì)譜學家則認為ICP-MS是一個以ICP為源的質(zhì)譜儀。
事實上，ICP-OES和ICP-MS的進樣部分及等離子體是及其相似的。ICP-OES測量的是光學光譜(165～800nm)，ICP-MS測量的是離子質(zhì)譜，提供在3～250 amu范圍內(nèi)每一個原子質(zhì)量單位(amu)的信息，因此，ICP-MS除了元素含量測定外，還可測量同位素。
后，AAS、ICP-MS
AAS是原子吸收光譜，因為只利用原子光譜中單色光照射，所以只能檢測一種元素的含量，不過檢測限比較低而且重現(xiàn)性比較好。ICP-OES是原子發(fā)射光譜，檢測原子光譜中的多條譜線，檢測限也比較低，而且多通道的可以同時檢測多種原子和離子。比較方便，重現(xiàn)性也不錯。ICP-MS是ICP質(zhì)譜聯(lián)用，利用質(zhì)譜檢測同位素含量來檢測元素的含量，檢出限di，效果li想。
性能區(qū)別
適用范圍：AAS用于已知元素含量的檢測;ICP可以用于已知，也可以用于未知，適合多元素分析;ICP-MS由于比較貴而且檢出限di，一般是用作標準測量的時候。
1、檢出限
ICP-MS的檢出限給人極深刻的印象，其溶液的檢出限大部份為ppt級(必需記牢，實際的檢出限不可能優(yōu)于你實驗室的清潔條件)，石墨爐AAS的檢出限為亞ppb級， ICP-OES大部份元素的檢出限為1～10ppb，一些元素在潔凈的試樣中也可得到令人注目的亞ppb級的檢出限。
必須指出，ICP-MS的ppt級檢出限是針對溶液中溶解物質(zhì)很少的單純?nèi)芤憾缘?，若涉及固體中濃度的檢出限，由于ICP-MS的耐鹽量較差，ICP-MS檢出限的優(yōu)點會變差多達50倍，一些普通的輕元素(如S、 Ca、 Fe 、K、 Se)在ICP-MS中有嚴重的干擾，也將惡化其檢出限。
2、干擾
以上三種技術呈現(xiàn)了不同類型及復雜的干擾問題，為此，我們對每個技術分別予以討論。ICP-MS的干擾：質(zhì)譜干擾、基體酸干擾、雙電荷離子干擾、基體效應、電離干擾、空間電荷效應。ICP-OES干擾：光譜干擾、基體效應、電離干擾。GFAAS干擾：光譜干擾、背景干擾、氣相干擾、基體效應。
3、容易使用度
在日常工作中，從自動化來講，ICP-OES是成shou的，可由技術不熟練的人員來應用。
ICP-MS的操作直到現(xiàn)在仍較為復雜，自1993年以來，盡管在計算機控制和智能化軟件方面有很大的進步，但在常規(guī)分析前仍需由技術人員進行精密調(diào)整，ICP-MS的方法研究也是很復雜及耗時的工作。
GFAAS的常規(guī)工作雖然是比較容易的，但制定方法仍需要相當熟練的技術。
4、試樣中的總固體溶解量TDS
在常規(guī)工作中，ICP-OES可分析10%TDS的溶液，甚至可以高至30%的鹽溶液。在短時期內(nèi)ICP-MS可分析0.5%的溶液，但大部分分析人員樂于采用多0.2%TDS的溶液。當原始樣品是固體時，與ICP-AES，GFAAS相比，ICP-MS需要更高倍數(shù)的稀釋，其折算到原始固體樣品中的檢出限顯示不出很大優(yōu)勢的現(xiàn)象也就不令人驚奇了。
5、線性動態(tài)范圍LDR
ICP-MS具有超過105的LDR，各種方法可使其LDR開展至108，但不管如何，對ICP-MS來說：高基體濃度會導致許多問題，而這些問題的hao解決方案是稀釋，正由于這個原因，ICP-MS應用的主要領域在痕量/超痕量分析。
GFAAS的LDR限制在102～103，如選用次靈敏線可進行高一些濃度的分析。
ICP-OES具有105以上的LDR且抗鹽份能力強，可進行痕量及主量元素的測定，ICP-OES可測定的濃度高達百分含量，因此，ICP-OES外加ICP-MS，或GFAAS可以很好地滿足實驗室的需要。
6、精密度
ICP-MS的短期精密度一般是1～3% RSD，這是應用多內(nèi)標法在常規(guī)工作中得到的。長期(幾個小時)精密度為小于5%RSD。使用同位素稀釋法可以得到很好的準確度和精密度，但這個方法的費用對常規(guī)分析來講是太貴了。
ICP-OES的短期精密度一般為0.3～2%RSD，幾個小時的長期精密度小于3%RSD。GFAAS的短期精密度為0.5～5%RSD，長期精密度的因素不在于時間而視石墨管的使用次數(shù)而定。
7、樣品分析能力
ICP-MS有驚人的能力來分析大量測定痕量元素的樣品，典型的分析時間為每個樣品小于5分鐘，在某些分析情況下只需2分鐘。Consulting實驗室認為ICP-MS的主要優(yōu)點即是其分析能力。
ICP-OES的分析速度取決于是采用全譜直讀型還是單道掃描型，每個樣品所需的時間為2或6分鐘，全譜直讀型較快，一般為2分鐘測定一個樣品。
GFAAS的分析速度為每個樣品中每個元素需3～4分鐘，晚上可以自動工作，這樣保證對樣品的分析能力。
根據(jù)溶液的濃度舉例如下，以參考：
1、每個樣品測定1～3個元素，元素濃度為亞或低于ppb級，如果被測元素要求能滿足的情況下，GFAAS是合適的。2、每個樣品5～20個元素，含量為亞ppm至%，ICP-OES是合適的。3、每個樣品需測4個以上的元素，在亞ppb及ppb含量，而且樣品的量也相當大，ICP-MS是較合適的。
8、無人控制操作
ICP-MS，ICP-OES，和GFAAS，由于現(xiàn)代化的自動化設計以及使用惰性氣體的安全性，可以整夜無人看管工作。
9、運行的費用
ICP-MS開機工作的費用要高于ICP-OES，因為ICP-MS的一些部件有一定的使用壽命而且需要更換，這些部件包括了渦輪分子泵、取樣錐和截取錐以及檢測器。對于ICP-MS和ICP-OES來講，霧化器與炬管的壽命是相同的。
如果實驗室選用了ICP-OES來取代ICP-MS，那么實驗室HAO能配備GFAAS。GFAAS應計算其石墨管的費用。在上述三種技術中Ar氣的費用是一筆相當?shù)念A算，ICP技術Ar費用遠高于GFAAS。
附表：
表1. ICP-MS, ICP-AES, GFAAS的簡單比較
ICP-MS | ICP-OES | Flame AAS | GFAAS | |
檢出限 | 絕大部分元素非常杰出 | 絕大部分元素很好 | 部分元素較好 | 部分元素非常杰出 |
樣品分析能力 | 每個樣品的所有元素2-6分鐘 | 每分鐘每個樣品的5-30個元素 | 每個樣品每個元素15秒 | 每個樣品每個元素4分鐘 |
線性動態(tài)范圍 | 108 | 105 | 103 | 102 |
精密度短期長期（4小時） | 1～3%< 5%使用內(nèi)標可改善精密度 | 0.3～2%< 3% | 0.1～1% | 1～5% |
干擾光(質(zhì))譜化學(基體)電離質(zhì)量效應同位素 | 少中等很少高的對低的影響?有 | 多幾乎沒有很少不存在無 | 幾乎沒有多有一些不存在無 | 少多很少不存在無 |
固體溶解量(大可容忍量) | 0.1-0.4% | 2-25% | 0.5-3% | >20% |
可測元素數(shù) | > 75 | >73 | > 68 | >50 |
樣品用量 | 少 | 多 | 很多 | 很少 |
半定量分析 | 能 | 能 | 不能 | 不能 |
同位素分析 | 能 | 不能 | 不能 | 不能 |
日常操作 | 容易 | 容易 | 容易 | 容易 |
方法試驗開發(fā) | 需要專業(yè)技術 | 需專業(yè)技術 | 容易 | 需專業(yè)技術 |
無人控制操作 | 能 | 能 | 不能 | 能 |
易燃氣體 | 無 | 無 | 有 | 無 |
操作費用 | 高 | 高 | 低 | 中等 |
基本費用 | 很高 | 高 | 低 | 中等/高 |
表2.檢出限比較
Element | ICP-MS | ICP-AES | Flame AAS | GFAAS |
As | <0.050 | <10 | <500 | <1 |
Al | <0.010 | <4 | <50 | <0.5 |
Ba | <0.005 | <0.2 | <50 | <1.5 |
Be | <0.050 | <0.2 | <5 | <0.05 |
Bi | <0.005 | <10 | <100 | <1 |
Cd | <0.010 | <1 | <5 | <0.03 |
Ce | <0.005 | <15 | <200000 | ND |
Co | <0.005 | <2 | <10 | <0.5 |
Cr | <0.005 | <3 | <10 | <0.15 |
Cu | <0.010 | <2 | <5 | <0.5 |
Gd | <0.005 | <5 | <4000 | ND |
Ho | <0.005 | <2 | <80 | ND |
In | <0.010 | <10 | <80 | <0.5 |
La | <0.005 | <1 | <4000 | ND |
Li | <0.020 | <1 | <5 | <0.5 |
Mn | <0.005 | <0.5 | <5 | <0.06 |
Ni | <0.005 | <2 | <20 | <0.5 |
Pb | <0.005 | <10 | <20 | <0.5 |
Se | <0.10 | <10 | <1000 | <1.0 |
Tl | <0.010 | <10 | <40 | <1.5 |
U | <0.010 | <20 | <100000 | ND |
Y | <0.005 | <0.5 | <500 | ND |
Zn | <0.02 | <0.5 | <2 | <0.01 |
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